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核心技術
半導體激光核心技術
共晶鍵合技術
熱管理技術
熱應力控制技術
界面材料與表面工程技術

共晶鍵合技術
通過控制激光二極管芯片鍵合工藝中多個參數(shù),有效控制了貼片層內空洞的數(shù)量,做到了“無空洞”、“無缺陷”貼片,大幅提高散熱能力,降低熱應力,提高產(chǎn)品性能和壽命。

熱管理技術
優(yōu)化熱管理結構,采用高導熱材料,有效解決了高功率半導體激光器熱管理問題,大幅提升了產(chǎn)品性能和可靠性,連續(xù)波半導體激光器功率已達150W/巴,準連續(xù)半導體激光器峰值功率已達500W/巴。

熱應力控制技術
研究熱應力對高功率半導體激光器性能的影響機理,提出了降低和均勻化應力的方法和工藝技術,使得半導體激光器件的應力大大降低、均勻性顯著提高,性能參數(shù)提高(如SMILE降低、偏振度提高、光譜變窄)。

界面材料與表面工程技術
封裝材料表面處理技術,顯著增強貼片材料表面浸潤特性,提高貼片的強度和長期可靠性;開發(fā)了金錫共晶合金薄膜制備技術,組分可調可控,實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的無銦化貼片。
光學整形核心技術
光束轉換技術
光場勻化技術
線光斑整形技術

光束轉換技術
可將極端不對稱的光束轉變?yōu)榛緦ΨQ光束。

光場勻化技術
獨特的光學設計及微透鏡加工能力,實現(xiàn)業(yè)界高標準的光斑勻化。為世界頂級企業(yè)的泛半導體制程設備提供激光勻化系統(tǒng)。

線光斑整形技術
基于晶圓級同步結構化激光光學制造技術制備12英寸(300mm×300mm)玻璃微光學晶圓、納米級精度折射型微透鏡元件(ROE)的技術能力,能夠實現(xiàn)在零維(點)、一維(線)、二維(面)三個維度對多種類型激光光束的精準整形和調控,以滿足不同的應用需求。
光學制備核心技術
晶圓級微納光學(WLO)精密壓印加工制造技術
晶圓級堆疊工藝(WLS)技術
晶圓級同步結構化激光光學制造技術
光刻-反應離子蝕刻法晶圓級微納光學精密加工制造技術
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晶圓級微納光學(WLO)精密壓印加工制造技術
結合微納光學設計目標進行母版的設計與制造,在6英寸或8英寸晶圓POG (Polymer on Glass)基板上進行高精密壓印,易于擴展的晶圓級工藝,可滿足微納光學元器件的大規(guī)模生產(chǎn)。紫外線固化、低溫、低壓工藝,可針對微米/納米結構特征進行適形再現(xiàn)。
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晶圓級堆疊工藝(WLS)技術
使用先進的掩膜對準設備對多個光學晶圓與剛性間隔塊進行幾微米級精度堆疊,具備無鏡筒、支架、高度緊湊、高度集成和可回流等特征。 實現(xiàn)經(jīng)濟高效的晶圓級光學鏡頭模組,可集成光圈、鍍膜、光譜濾波等附加功能。

晶圓級同步結構化激光光學制造技術
高精度、高重復性、大批量、低成本的獨有激光光學元器件制造技術,具有制備12英寸(300mm×300mm)玻璃微光學晶圓、納米級精度折射型微透鏡元件(ROE)的技術能力。
光刻-反應離子蝕刻法晶圓級微納光學精密加工制造技術
在6或8英寸硅或熔融石英晶圓上通過精密光刻-反應離子蝕刻的工藝實現(xiàn)微納光學元器件的加工制造。微透鏡典型中心厚度為0.3-3毫米,矢高可達0.1毫米,微透鏡陣列pitch距離間隔精度小于0.3微米。除常見的單面(非)球微透鏡結構外,亦可加工(非)柱面微透鏡、2-20微米尺寸的凹槽、中心對齊精度小于3微米的雙面微透鏡結構,微透鏡背面可加工45度角的微棱鏡。
測試分析診斷核心技術
測試分析診斷技術

測試分析診斷技術
建立了半導體激光器物理機理分析診斷模型,實現(xiàn)了對高功率半導體激光元器件的LIV和光譜、偏振、遠場、近場、空間光譜、空間偏振、空間光束輪廓、Smile效應、壽命等重要光電參數(shù)測試與表征;利用波動光學模型,通過接觸型輪廓對光學元件的特定功能(聚焦、準直質量、均勻化等)進行精確分析。
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